'Extreme' transistor can withstand heat of 1000-plus F — priming it for use in Venus-bound probes
מקור: Live Scienceלחצו כאן לפתיחת המקור בחלון חדש ↗
מאת Fiona Jackson06/09/2026 às 11:00371 צפיות
📷 התמונה מוגנת בזכויות יוצרים של Live Science. ראו ב־ פתיחת המקור ↗
The silicon carbide transistor is designed to avoid low controllability and current leakage, which typically become problems at high temperatures.…
המאמר המלא ב־
Live Science
⚖️ רק קטעים מתפרסמים מחדש (שימוש הוגן).
הידיעה הזו הייתה מועילה?
דיונים 0
היו הראשונים לתרום לדיון.
שתפו מידע וקדמו את הטיעון שלכם
אל תהססו לפרסם מידע או נתונים מועילים.
כדי להצטרף לדיון, התחברו או צרו חשבון חינם.