'Extreme' transistor can withstand heat of 1000-plus F — priming it for use in Venus-bound probes

Автор Fiona Jackson06/09/2026 às 11:0015 просмотры
📷 Изображение защищено авторским правом Live Science. Смотреть на Открыть оригинал ↗
The silicon carbide transistor is designed to avoid low controllability and current leakage, which typically become problems at high temperatures.…
Полная статья на
Live Science
Читать полную статью ↗
⚖️ Публикуются только выдержки (добросовестное использование).
Была ли эта новость полезна?

Дебаты 0

Будьте первым, кто внесёт вклад в дискуссию.

Поделитесь информацией и продвигайте свои аргументы

Не стесняйтесь публиковать полезную информацию или данные.

Чтобы участвовать в дискуссии, войдите или создайте бесплатный аккаунт.