'Extreme' transistor can withstand heat of 1000-plus F — priming it for use in Venus-bound probes
Źródło: Live ScienceOtwórz w oryginalnym źródle ↗
Przez Fiona Jackson06/09/2026 às 11:0011 wyświetlenia
📷 Imagem protegida por direitos autorais de Live Science. Veja na Otwórz oryginał ↗
The silicon carbide transistor is designed to avoid low controllability and current leakage, which typically become problems at high temperatures.…
Pełny artykuł na
Live Science
⚖️ Apenas excertos são republicados (fair use / uso justo — Höfundalög nº 73/1972 art. 14 · Berne art. 10).
Czy ta wiadomość była przydatna?
Komentarze 0
Seja o primeiro a contribuir com o debate.
Difunda suas informações e promova seu argumento
Nie wahaj się dzielić przydatnymi informacjami.
Aby uczestniczyć w debacie, zaloguj się lub załóż darmowe konto.